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詳細情報 |
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| 名前: | 光検出器GB3-A1DPS | 特徴: | RoHSの不平 |
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| スペクトル反応の範囲: | 850nm | ピーク感受性の波長: | 400-1100nm |
| 暗電流: | 0.1uA | はんだ付けする温度: | -40~+100℃ |
| 保管温度: | -25~85℃ | 主要な材料: | ケイ素、エポキシ樹脂 |
| ハイライト: | GB3 A1DPSの写真スイッチ センサー,1100nm 85cの写真スイッチ センサー,0.1uA光検出器スイッチ |
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製品の説明
目に見えるROHSの不平IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づくため
■IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づく目に見えるのの製品の説明
LXD/GB3-A1DPSライト センサーにスペクトル反応がIRの範囲、LXD/GB3-A1DPSに近づく目に見えるのほとんどだけ提供する慣習的なタイプより異なった色温度の小さいtorelanceをある。LXD/GB3-A1DPSは金属のパッケージと同じ形を持っているプラスチック パッケージで内部に閉じ込められる。LXD/GB3-A1DPSの形はまた私達の5Rタイプ目に見えるセンサー（CDの光導電セル）に類似している、従ってLXD/GB3-A1DPSはそれらの目に見え、近いIRセンサーのために取り替えとして使用することができる。
■IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づく目に見えるのの特徴
*フォトトランジスター使いやすい操作同じように
*フォトトランジスターおよびCDの光導電セルと比較される出力現在の変動を下げなさい。
*優秀な直線性、照明上のよい線形現在の出力
*光源のための小さいtorelance同じ照度を異なった色温度で作り出す。
*低い暗電流および高い写真の感受性。
*迎合的なRoHSフォトセルへのカドミウムなしの代わり。
■IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づく目に見えるのの適用
*内部および外部のスイッチ（薄暗がり/夜明けスイッチ）
*内部および外部の光量制御（薄暗くなること）
*自動車ヘッドライトの調光器
*表示対照制御
*測色計
* CDのフォトセルのための取り替え
IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づく目に見えるのの絶対最高評価/（Type.Ta=25℃）
| 変数 | 記号 | 価値 | 単位 |
| Collector-Emitter電圧 | VCEO | 12 | V |
| エミッター コレクター電圧 | VEOC | 5 | V |
| 電力損失の | PC | 70 | MW |
| 保管温度 | Topr | -25~85 | ℃ |
| はんだ付けする温度 | Tstg | -40~+100 | ℃ |
IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づく目に見えるのの電気光学の特徴（Type.Ta=25℃）
| 変数 | 記号 | 条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
| スペクトル反応の範囲 | λp | / | - | 850 | - | nm |
| ピーク感受性の波長 | λd | / | 400 | - | 1100 | nm |
| 暗電流 | ID | Vdd=5V Ev=0のルクス | - | - | 0.1 | uA |
| Photocurrent | IL （1） | Vdd=5V Ev=10のルクス | 3.0 | - | 5.0 | uA |
| Vdd=5V Ev=30のルクス | 9.0 | - | 15.0 | uA | ||
| Photocurrent | IL （2）* | Vdd=5V Ev=100のルクス | 30 | 40 | 50 | uA |
| 上昇時間 | Tr | VCE=5V IC=1mA RL=1000Ω | 15 | 氏 | ||
| 落下時間 | Tf | 15 | ||||
スペクトル反応 軽い現在のVs.Ee 暗電流Vs.Temperature
■IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づく目に見えるのの作動回路の例
■IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPS （単位に近づく目に見えるのの次元の輪郭:mm）
IR Dectorのプラスチック パッケージ光検出器GB3-A1DPSに近づく目に見えるののシリーズ指定
| 指定 （mm） | モデル | 最低の操作上の電圧 （v） | IRの拒絶の機能 | 軽い現在（uA） | 暗電流 | ピーク スペクトル反応 | ||||
| @ 10ルクス | @ 100ルクス | @ 200ルクス | @ 1000ルクス | @ 2000ルクス | @ 0ルクス | |||||
| ¢3 | LXD/GB3-A1C | 2.0 V | ||||||||
| ISS = 250uA | 肯定 | 12.5 | 125 | 250 | - | - | < 1="" nA=""> | 520nm | ||
| ¢5 | LXD/GB5-A1C | 2.0 V | ||||||||
| ISS = 250uA | 肯定 | 12.5 | 125 | 250 | - | - | < 1="" nA=""> | 520nm | ||
| ¢3 | LXD/GB3-A2C | 2.0 V | ||||||||
| ISS = 250uA | 肯定 | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1="" nA=""> | 520nm | ||
| ¢5 | LXD/GB5-A2C | 2.0 V | ||||||||
| ISS = 250uA | 肯定 | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1="" nA=""> | 520nm | ||
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPF | 2.0 V | 肯定 | 113 | 750 | - | 1318 | - | 4uA | 520nm |
| ISS = 250uA | ||||||||||
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPB | 2.0 V | 240 | |||||||
| IC=20mA、IB=100uA | 肯定 | 17 | 170 | - | - | < 10="" nA=""> | 850nm | |||
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPM | 2.0 V | 600 | |||||||
| IC=20mA、IB=100uA | 肯定 | 30 | 300 | - | - | < 10="" nA=""> | 850nm | |||